NTHC5513T1G, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, Vds=20 V, 8针 ChipFET封装
- RS 库存编号:
- 780-0573
- 制造商零件编号:
- NTHC5513T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB54.00
(不含税)
RMB61.00
(含税)
有库存
- 2,450 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB2.16 | RMB54.00 |
| 50 - 100 | RMB1.80 | RMB45.00 |
| 125 - 225 | RMB1.62 | RMB40.50 |
| 250 - 475 | RMB1.44 | RMB36.00 |
| 500 + | RMB1.26 | RMB31.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 780-0573
- 制造商零件编号:
- NTHC5513T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 3 A，3.9 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 115 mΩ，240 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | ChipFET | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.1 W | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型关断延迟时间 | 10 ns，33 ns | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 180 pF@ 10 V，185 pF@ -10 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.6 nC @ 4.5 V，3 nC @ 4.5 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 5 ns，7 ns | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 3 A，3.9 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 115 mΩ，240 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 ChipFET | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.1 W | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型关断延迟时间 10 ns，33 ns | ||
宽度 1.7mm | ||
典型输入电容值@Vds 180 pF@ 10 V，185 pF@ -10 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 2.6 nC @ 4.5 V，3 nC @ 4.5 V | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 5 ns，7 ns | ||
长度 3.1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.1mm | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1.1mm | ||