NTJD1155LT1G, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 1.3 A, Vds=8（P 沟道）V, 6针 SC-88封装
- RS 库存编号:
- 780-0605P
- 制造商零件编号:
- NTJD1155LT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 40 - 80 | RMB0.991 |
| 100 - 180 | RMB0.901 |
| 200 - 380 | RMB0.811 |
| 400 + | RMB0.721 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 780-0605P
- 制造商零件编号:
- NTJD1155LT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 1.3 A | |
| 最大漏源电压 | 8 V | |
| 最大漏源电阻值 | 320 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | +8 V | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-88) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | N+P 负载开关 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 400 mW | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 1.3 A | ||
最大漏源电压 8 V | ||
最大漏源电阻值 320 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 +8 V | ||
封装类型 SOT-363 (SC-88) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 N+P 负载开关 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 400 mW | ||
宽度 1.35mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 2.2mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
高度 1mm | ||