NTJD4158CT1G, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 6针 SC-88封装
- RS 库存编号:
- 780-0614
- 制造商零件编号:
- NTJD4158CT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB1.745 | RMB43.63 |
| 50 - 100 | RMB1.638 | RMB40.95 |
| 125 - 225 | RMB1.098 | RMB27.45 |
| 250 - 475 | RMB1.076 | RMB26.90 |
| 500 + | RMB1.055 | RMB26.38 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 780-0614
- 制造商零件编号:
- NTJD4158CT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 250 mA，880 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V，30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2.5 Ω，500 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、-12 V、+12 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-88) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 270 mW | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 典型关断延迟时间 | 13.5 ns，56 ns | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 155 pF@ -20 V，20 pF@ 5 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 典型接通延迟时间 | 5.8 ns, 15 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.9 nC @ 5 V，2.2 nC @ 4.5 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 250 mA，880 mA | ||
最大漏源电压 20 V，30 V | ||
最大漏源电阻值 2.5 Ω，500 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、-12 V、+12 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-363 (SC-88) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 270 mW | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 1.35mm | ||
典型关断延迟时间 13.5 ns，56 ns | ||
长度 2.2mm | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 155 pF@ -20 V，20 pF@ 5 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1mm | ||
典型接通延迟时间 5.8 ns, 15 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.9 nC @ 5 V，2.2 nC @ 4.5 V | ||