NTLJS3113PT1G , P沟道 MOSFET 晶体管, 7.7 A, Vds=-20 V, 6针 WDFN封装
- RS 库存编号:
- 780-0661P
- 制造商零件编号:
- NTLJS3113PT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计 20 件 (按连续条带形式提供)*
RMB28.82
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RMB32.56
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 40 | RMB1.441 |
| 50 - 90 | RMB1.261 |
| 100 - 190 | RMB1.171 |
| 200 + | RMB1.046 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 780-0661P
- 制造商零件编号:
- NTLJS3113PT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 7.7 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 200 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | WDFN | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 700 mW | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 1329 pF @ -16 V | |
| 典型关断延迟时间 | 60 ns | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 宽度 | 2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 2mm | |
| 典型接通延迟时间 | 6.9 ns | |
| 尺寸 | 2 x 2 x 0.75mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 7.7 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 200 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 WDFN | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 700 mW | ||
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 1329 pF @ -16 V | ||
典型关断延迟时间 60 ns | ||
高度 0.75mm | ||
宽度 2mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 2mm | ||
典型接通延迟时间 6.9 ns | ||
尺寸 2 x 2 x 0.75mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||