NTMFS4835NT1G , N沟道 MOSFET 晶体管, 104 A, Vds=30 V, 8针 SO FL封装
- RS 库存编号:
- 780-0696
- 制造商零件编号:
- NTMFS4835NT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB25.44
(不含税)
RMB28.745
(含税)
有库存
- 另外 1,395 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB5.088 | RMB25.44 |
| 10 - 20 | RMB4.152 | RMB20.76 |
| 25 - 45 | RMB3.702 | RMB18.51 |
| 50 - 95 | RMB3.35 | RMB16.75 |
| 100 + | RMB3.08 | RMB15.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 780-0696
- 制造商零件编号:
- NTMFS4835NT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 104 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 5 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SO-8FL | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 62.5 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6.1mm | |
| 典型关断延迟时间 | 22 ns，30 ns | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 尺寸 | 5.1 x 6.1 x 1.1mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 3100 pF @ 12 V | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns，16 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 22 nC @ 4.5 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 104 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 5 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SO-8FL | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 62.5 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6.1mm | ||
典型关断延迟时间 22 ns，30 ns | ||
长度 5.1mm | ||
尺寸 5.1 x 6.1 x 1.1mm | ||
典型输入电容值@Vds 3100 pF @ 12 V | ||
典型接通延迟时间 10 ns，16 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 4.5 V | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 1.1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||