NTR4503NT1G , N沟道 MOSFET 晶体管, 2.5 A, Vds=30 V, 3针 SO-23封装
- RS 库存编号:
- 780-4751P
- 制造商零件编号:
- NTR4503NT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
RMB102.90
(不含税)
RMB116.30
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 100 | RMB2.058 |
| 125 - 225 | RMB1.379 |
| 250 - 475 | RMB1.352 |
| 500 + | RMB1.325 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 780-4751P
- 制造商零件编号:
- NTR4503NT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 140 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 730 mW | |
| 高度 | 1.01mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.9 nC @ 4.5 V，3.6 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 4.8 ns，5.8 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 13.6 ns，14 ns | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型输入电容值@Vds | 130 pF@ 24 V, 135 pF@ 15 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2.5 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 140 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 730 mW | ||
高度 1.01mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3.04mm | ||
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.9 nC @ 4.5 V，3.6 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 4.8 ns，5.8 ns | ||
典型关断延迟时间 13.6 ns，14 ns | ||
宽度 1.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型输入电容值@Vds 130 pF@ 24 V, 135 pF@ 15 V | ||