NTTFS5826NLTAG , N沟道 MOSFET 晶体管, 20 A, Vds=60 V, 8针 WDFN封装
- RS 库存编号:
- 780-4789
- 制造商零件编号:
- NTTFS5826NLTAG
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB3.403 | RMB34.03 |
| 20 - 40 | RMB2.782 | RMB27.82 |
| 50 - 90 | RMB2.485 | RMB24.85 |
| 100 - 190 | RMB2.233 | RMB22.33 |
| 200 + | RMB2.062 | RMB20.62 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 780-4789
- 制造商零件编号:
- NTTFS5826NLTAG
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 20 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 32 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | WDFN | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 3.1 W | |
| 典型关断延迟时间 | 14 ns，17 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.15mm | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 16 nC @ 10 V，8.4 nC @ 4.5 V | |
| 长度 | 3.15mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns，9 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 3.15 x 3.15 x 0.75mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 850 pF@ 25 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 20 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 32 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 WDFN | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 3.1 W | ||
典型关断延迟时间 14 ns，17 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.15mm | ||
高度 0.75mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 10 V，8.4 nC @ 4.5 V | ||
长度 3.15mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 7 ns，9 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 3.15 x 3.15 x 0.75mm | ||
典型输入电容值@Vds 850 pF@ 25 V | ||