NTZD3152PT1G, 双 P沟道 MOSFET 晶体管, 0.43 A, Vds=-20 V, 6针 SOT-563封装
- RS 库存编号:
- 780-4795P
- 制造商零件编号:
- NTZD3152PT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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RMB63.00
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RMB71.00
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 100 | RMB1.26 |
| 125 - 225 | RMB0.968 |
| 250 - 475 | RMB0.90 |
| 500 + | RMB0.812 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 780-4795P
- 制造商零件编号:
- NTZD3152PT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 430 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -6 V、+6 V | |
| 封装类型 | SOT-563 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 280 mW | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.7 nC @ 4.5 V | |
| 典型关断延迟时间 | 35 ns | |
| 尺寸 | 1.7 x 1.3 x 0.6mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 105 pF @ -16 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 430 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 2 Ω | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -6 V、+6 V | ||
封装类型 SOT-563 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 280 mW | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
长度 1.7mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.7 nC @ 4.5 V | ||
典型关断延迟时间 35 ns | ||
尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 0.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
宽度 1.3mm | ||
典型输入电容值@Vds 105 pF @ -16 V | ||