STW20N65M5 , N沟道 MOSFET 晶体管, 18 A, Vds=710 V, 3针 TO-247封装
- RS 库存编号:
- 783-3084
- 制造商零件编号:
- STW20N65M5
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB162.58
(不含税)
RMB183.715
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | RMB32.516 | RMB162.58 |
| 15 - 55 | RMB26.752 | RMB133.76 |
| 60 - 145 | RMB21.868 | RMB109.34 |
| 150 - 295 | RMB19.404 | RMB97.02 |
| 300 + | RMB17.71 | RMB88.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 783-3084
- 制造商零件编号:
- STW20N65M5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最大漏源电压 | 710 V | |
| 最大漏源电阻值 | 190 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 130 W | |
| 长度 | 15.75mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 1434 pF@ 10 V | |
| 尺寸 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | |
| 典型关断延迟时间 | 43 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| 典型接通延迟时间 | 43 ns | |
| 高度 | 20.15mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | MDmesh M5 | |
| 宽度 | 5.15mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 18 A | ||
最大漏源电压 710 V | ||
最大漏源电阻值 190 mΩ | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 130 W | ||
长度 15.75mm | ||
典型输入电容值@Vds 1434 pF@ 10 V | ||
尺寸 15.75 x 5.15 x 20.15mm | ||
典型关断延迟时间 43 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V | ||
典型接通延迟时间 43 ns | ||
高度 20.15mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 MDmesh M5 | ||
宽度 5.15mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN