STB24N60M2 , N沟道 MOSFET 晶体管, 18 A, Vds=650 V, 3针 D2PAK封装
- RS 库存编号:
- 783-3103P
- 制造商零件编号:
- STB24N60M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
RMB838.20
(不含税)
RMB947.15
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 245 | RMB16.764 |
| 250 - 495 | RMB14.652 |
| 500 - 995 | RMB14.52 |
| 1000 + | RMB14.366 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 783-3103P
- 制造商零件编号:
- STB24N60M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 最大漏源电阻值 | 190 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 150 W | |
| 系列 | MDmesh M2 | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 典型关断延迟时间 | 60 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 1060 pF@ 10 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 9.35mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 18 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
最大漏源电阻值 190 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 D2PAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 150 W | ||
系列 MDmesh M2 | ||
长度 10.4mm | ||
高度 4.6mm | ||
典型关断延迟时间 60 ns | ||
典型输入电容值@Vds 1060 pF@ 10 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 29 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 14 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 9.35mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||