STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 180 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP310N10F7
- RS 库存编号:
- 786-3798
- 制造商零件编号:
- STP310N10F7
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB69.31
(不含税)
RMB78.32
(含税)
有库存
- 另外 50 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB34.655 | RMB69.31 |
| 50 - 248 | RMB28.355 | RMB56.71 |
| 250 - 498 | RMB22.955 | RMB45.91 |
| 500 - 998 | RMB18.625 | RMB37.25 |
| 1000 + | RMB18.255 | RMB36.51 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 786-3798
- 制造商零件编号:
- STP310N10F7
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 180 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 系列 | STripFET H7 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 2.7 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大功率耗散 | 315 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 180 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
系列 STripFET H7 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 2.7 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大功率耗散 315 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.4mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V | ||
宽度 4.6mm | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 15.75mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||