MTM231102LBF , P沟道 MOSFET 晶体管, 4 A, Vds=-12 V, 3针 SMini3-G1-B封装
- RS 库存编号:
- 787-7526
- 制造商零件编号:
- MTM231102LBF
- 制造商:
- Panasonic
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小计（1 包，共 50 件）*
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB0.945 | RMB47.25 |
| 100 - 200 | RMB0.864 | RMB43.20 |
| 250 - 700 | RMB0.792 | RMB39.60 |
| 750 - 950 | RMB0.729 | RMB36.45 |
| 1000 + | RMB0.711 | RMB35.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-7526
- 制造商零件编号:
- MTM231102LBF
- 制造商:
- Panasonic
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Panasonic | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最大漏源电压 | 12 V | |
| 最大漏源电阻值 | 30 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | Smini3-G1-B | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 500 mW | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1200 pF @ -10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 0.8mm | |
| 长度 | 2mm | |
| 典型关断延迟时间 | 300 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 25 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 系列 | MTM | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Panasonic | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 4 A | ||
最大漏源电压 12 V | ||
最大漏源电阻值 30 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 Smini3-G1-B | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 500 mW | ||
宽度 1.25mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型输入电容值@Vds 1200 pF @ -10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm | ||
长度 2mm | ||
典型关断延迟时间 300 ns | ||
典型接通延迟时间 25 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.8mm | ||
系列 MTM | ||