Panasonic P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 3 A, Smini3-G1-B, 贴片安装, 3引脚, MTM231232LBF
- RS 库存编号:
- 787-7529
- 制造商零件编号:
- MTM231232LBF
- 制造商:
- Panasonic
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB0.864 | RMB43.20 |
| 100 - 200 | RMB0.783 | RMB39.15 |
| 250 - 700 | RMB0.72 | RMB36.00 |
| 750 - 950 | RMB0.666 | RMB33.30 |
| 1000 + | RMB0.648 | RMB32.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-7529
- 制造商零件编号:
- MTM231232LBF
- 制造商:
- Panasonic
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Panasonic | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | Smini3-G1-B | |
| 系列 | MTM | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 40 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V | |
| 最大功率耗散 | 500 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 2mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Panasonic | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 Smini3-G1-B | ||
系列 MTM | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 40 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.3V | ||
最大功率耗散 500 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -10 V、+10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 2mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.25mm | ||
高度 0.8mm | ||