SI1012CR-T1-GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.63 A, Vds=20 V, 3针 SC-75A封装
- RS 库存编号:
- 787-9005
- 制造商零件编号:
- SI1012CR-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB0.939 | RMB18.78 |
| 100 - 240 | RMB0.816 | RMB16.32 |
| 260 - 980 | RMB0.799 | RMB15.98 |
| 1000 - 2980 | RMB0.783 | RMB15.66 |
| 3000 + | RMB0.768 | RMB15.36 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9005
- 制造商零件编号:
- SI1012CR-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 630 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.1 Ω | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-416 (SC-75A) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 240 mW | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.3 nC @ 8 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 43 pF@ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 26 ns | |
| 尺寸 | 1.68 x 0.86 x 0.8mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 宽度 | 0.86mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 1.68mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 630 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 1.1 Ω | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-416 (SC-75A) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 240 mW | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.3 nC @ 8 V | ||
典型输入电容值@Vds 43 pF@ 10 V | ||
典型关断延迟时间 26 ns | ||
尺寸 1.68 x 0.86 x 0.8mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 11 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
宽度 0.86mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 0.8mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 1.68mm | ||