SI4532CDY-T1-GE3, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 8针 SOIC-8封装
- RS 库存编号:
- 787-9020
- 制造商零件编号:
- SI4532CDY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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小计（1 包，共 20 件）*
RMB64.52
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RMB72.90
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB3.226 | RMB64.52 |
| 100 - 240 | RMB2.923 | RMB58.46 |
| 260 - 980 | RMB2.494 | RMB49.88 |
| 1000 - 2480 | RMB2.377 | RMB47.54 |
| 2500 + | RMB2.233 | RMB44.66 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9020
- 制造商零件编号:
- SI4532CDY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 4.3 A、6 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 65 mΩ、140 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 2.78 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6 nC @ 10 V、7.8 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 305 pF@ 15 V、340 pF@ -15 V | |
| 典型关断延迟时间 | 14 ns、20 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns、40 ns | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 4.3 A、6 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 65 mΩ、140 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 2.78 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 10 V、7.8 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 305 pF@ 15 V、340 pF@ -15 V | ||
典型关断延迟时间 14 ns、20 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 5 x 4 x 1.5mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 4mm | ||
典型接通延迟时间 16 ns、40 ns | ||
高度 1.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 5mm | ||