SI1427EDH-T1-GE3 , P沟道 MOSFET 晶体管, 2 A, Vds=-20 V, 6针 SC-70-6封装
- RS 库存编号:
- 787-9030
- 制造商零件编号:
- SI1427EDH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB31.20
(不含税)
RMB35.20
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB1.56 | RMB31.20 |
| 100 - 240 | RMB1.112 | RMB22.24 |
| 260 - 980 | RMB1.09 | RMB21.80 |
| 1000 - 2980 | RMB0.89 | RMB17.80 |
| 3000 + | RMB0.854 | RMB17.08 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9030
- 制造商零件编号:
- SI1427EDH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 2 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 165 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SC-70 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 2.8 W | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 5.20 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 0.20 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 8 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 2 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 165 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SC-70 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 2.8 W | ||
宽度 1.35mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 5.20 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型接通延迟时间 0.20 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 8 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
长度 2.2mm | ||
高度 1mm | ||