Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 8 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 787-9052
- 制造商零件编号:
- SI4925DDY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB55.35
(不含税)
RMB62.55
(含税)
有限的库存
- 另外 40 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB11.07 | RMB55.35 |
| 50 - 245 | RMB6.756 | RMB33.78 |
| 250 - 995 | RMB6.256 | RMB31.28 |
| 1000 - 2495 | RMB6.05 | RMB30.25 |
| 2500 + | RMB4.95 | RMB24.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9052
- 制造商零件编号:
- SI4925DDY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 41 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 5 W | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 5mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 8 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 41 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 5 W | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 4mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 5mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.5mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||