SIHF8N50D-E3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 8.7 A, Vds=500 V, 3针 TO-220 FP封装
- RS 库存编号:
- 787-9162
- 制造商零件编号:
- SIHF8N50D-E3
- 制造商:
- Vishay
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB43.23
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RMB48.85
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB8.646 | RMB43.23 |
| 50 - 245 | RMB7.678 | RMB38.39 |
| 250 - 995 | RMB6.908 | RMB34.54 |
| 1000 - 4995 | RMB5.97 | RMB29.85 |
| 5000 + | RMB5.324 | RMB26.62 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9162
- 制造商零件编号:
- SIHF8N50D-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8.7 A | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 850 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-220FP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 33 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型输入电容值@Vds | 527 pF @ 100 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 9.8mm | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 10.63 x 4.83 x 9.8mm | |
| 长度 | 10.63mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | D Series | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 典型关断延迟时间 | 17 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8.7 A | ||
最大漏源电压 500 V | ||
最大漏源电阻值 850 mΩ | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-220FP | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 33 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型输入电容值@Vds 527 pF @ 100 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 9.8mm | ||
典型接通延迟时间 13 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 10.63 x 4.83 x 9.8mm | ||
长度 10.63mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 D Series | ||
宽度 4.83mm | ||
典型关断延迟时间 17 ns | ||