SI7852DP-T1-GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 12 A, Vds=80 V, 8针 PowerPAK ChipFET封装
- RS 库存编号:
- 787-9250
- 制造商零件编号:
- SI7852DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 49 | RMB13.79 |
| 50 - 249 | RMB11.51 |
| 250 - 999 | RMB9.23 |
| 1000 - 2999 | RMB9.19 |
| 3000 + | RMB9.01 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9250
- 制造商零件编号:
- SI7852DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 最大漏源电阻值 | 22 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PowerPAK ChipFET | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 31 W | |
| 宽度 | 1.98mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2320 pF @ -15 V | |
| 典型关断延迟时间 | 40 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 典型接通延迟时间 | 35 ns | |
| 尺寸 | 3.08 x 1.98 x 0.85mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 3.08mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 12 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
最大漏源电阻值 22 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PowerPAK ChipFET | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 31 W | ||
宽度 1.98mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 2320 pF @ -15 V | ||
典型关断延迟时间 40 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.85mm | ||
典型接通延迟时间 35 ns | ||
尺寸 3.08 x 1.98 x 0.85mm | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 3.08mm | ||