Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI8806DB-T2-E1, 3.9 A, Vds=12 V, 4针 微型支脚封装
- RS 库存编号:
- 787-9272
- 制造商零件编号:
- SI8806DB-T2-E1
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB1.734 | RMB17.34 |
| 50 - 240 | RMB1.70 | RMB17.00 |
| 250 - 990 | RMB1.568 | RMB15.68 |
| 1000 - 2990 | RMB1.537 | RMB15.37 |
| 3000 + | RMB1.507 | RMB15.07 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9272
- 制造商零件编号:
- SI8806DB-T2-E1
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3.9 A | |
| 最大漏源电压 | 12 V | |
| 最大漏源电阻值 | 65 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | 微型支脚 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 900 mW | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.213mm | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 0.84 x 0.84 x 0.213mm | |
| 长度 | 0.84mm | |
| 典型关断延迟时间 | 30 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11 nC @ 8 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 0.84mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3.9 A | ||
最大漏源电压 12 V | ||
最大漏源电阻值 65 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 微型支脚 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 4 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 900 mW | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.213mm | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 0.84 x 0.84 x 0.213mm | ||
长度 0.84mm | ||
典型关断延迟时间 30 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 8 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 0.84mm | ||