SIJ482DP-T1-GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 60 A, Vds=80 V, 5针 SO8L封装
- RS 库存编号:
- 787-9317
- 制造商零件编号:
- SIJ482DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB55.58
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RMB62.805
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB11.116 | RMB55.58 |
| 50 - 245 | RMB8.958 | RMB44.79 |
| 250 - 995 | RMB7.182 | RMB35.91 |
| 1000 - 2995 | RMB6.312 | RMB31.56 |
| 3000 + | RMB6.188 | RMB30.94 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9317
- 制造商零件编号:
- SIJ482DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 60 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 最大漏源电阻值 | 9.5 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PowerPAK SO-8L | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 69.4 W | |
| 系列 | ThunderFET | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 28 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 1.14mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.47mm | |
| 尺寸 | 5 x 4.47 x 1.14mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2425 pF @ 40 V | |
| 典型关断延迟时间 | 72 ns | |
| 长度 | 5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 60 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
最大漏源电阻值 9.5 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PowerPAK SO-8L | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 5 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 69.4 W | ||
系列 ThunderFET | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型接通延迟时间 28 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 1.14mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.47mm | ||
尺寸 5 x 4.47 x 1.14mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 71 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 2425 pF @ 40 V | ||
典型关断延迟时间 72 ns | ||
长度 5mm | ||