SIRA10DP-T1-GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 30 A, Vds=30 V, 8针 PowerPAK-SO-8封装
- RS 库存编号:
- 787-9377
- 制造商零件编号:
- SIRA10DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB51.60
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.16 | RMB51.60 |
| 50 - 240 | RMB4.796 | RMB47.96 |
| 250 - 990 | RMB3.74 | RMB37.40 |
| 1000 - 2990 | RMB2.99 | RMB29.90 |
| 3000 + | RMB2.92 | RMB29.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9377
- 制造商零件编号:
- SIRA10DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 30 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 5 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1.1V | |
| 最大栅源电压 | -16 V，+20 V | |
| 封装类型 | PowerPAK SO | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 40 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5.26mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 6.25 x 5.26 x 1.12mm | |
| 长度 | 6.25mm | |
| 典型关断延迟时间 | 27 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 2425 pF @ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 30 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 5 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1.1V | ||
最大栅源电压 -16 V，+20 V | ||
封装类型 PowerPAK SO | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 40 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5.26mm | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 6.25 x 5.26 x 1.12mm | ||
长度 6.25mm | ||
典型关断延迟时间 27 ns | ||
典型输入电容值@Vds 2425 pF @ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 20 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 TrenchFET | ||
高度 1.12mm | ||