SiHG22N60E-GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 21 A, Vds=600 V, 3针 TO-247AC封装
- RS 库存编号:
- 787-9412
- 制造商零件编号:
- SiHG22N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 49 | RMB32.14 |
| 50 - 249 | RMB27.55 |
| 250 - 999 | RMB20.66 |
| 1000 - 4999 | RMB18.10 |
| 5000 + | RMB17.74 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9412
- 制造商零件编号:
- SiHG22N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 21 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 185 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-247AC | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 227 W | |
| 宽度 | 5.31mm | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 尺寸 | 15.87 x 5.31 x 20.82mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 20.82mm | |
| 系列 | E Series | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 57 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1920 pF@ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 66 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 21 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 185 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-247AC | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 227 W | ||
宽度 5.31mm | ||
长度 15.87mm | ||
尺寸 15.87 x 5.31 x 20.82mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 18 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 20.82mm | ||
系列 E Series | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 57 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1920 pF@ 10 V | ||
典型关断延迟时间 66 ns | ||