SQJ960EP-T1_GE3, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 8 A, Vds=60 V, 8针 PowerPAK-SO-8封装
- RS 库存编号:
- 787-9418
- 制造商零件编号:
- SQJ960EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB12.16 | RMB60.80 |
| 50 - 245 | RMB9.88 | RMB49.40 |
| 250 - 995 | RMB7.866 | RMB39.33 |
| 1000 - 2495 | RMB5.834 | RMB29.17 |
| 2500 + | RMB5.72 | RMB28.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9418
- 制造商零件编号:
- SQJ960EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 84 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PowerPAK SO | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 34 W | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 宽度 | 4.47mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 长度 | 5.25mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 587 pF @ 25 V | |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns | |
| 高度 | 1.14mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 5 x 4.47 x 1.14mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 19 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 84 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PowerPAK SO | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 34 W | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
宽度 4.47mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
长度 5.25mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 587 pF @ 25 V | ||
典型接通延迟时间 6 ns | ||
高度 1.14mm | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 5 x 4.47 x 1.14mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 19 ns | ||