SQ1420EEH-T1-GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 1.6 A, Vds=60 V, 6针 SC-70-6封装
- RS 库存编号:
- 787-9434
- 制造商零件编号:
- SQ1420EEH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB2.123 | RMB21.23 |
| 50 - 240 | RMB1.98 | RMB19.80 |
| 250 - 990 | RMB1.793 | RMB17.93 |
| 1000 - 2990 | RMB1.364 | RMB13.64 |
| 3000 + | RMB1.30 | RMB13.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9434
- 制造商零件编号:
- SQ1420EEH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.6 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 308 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SC-70 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | Trench MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 3.3 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.7 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 172 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 8 ns | |
| 高度 | 1mm | |
| 系列 | SQ Rugged | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.6 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 308 mΩ | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SC-70 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 Trench MOSFET | ||
最大功率耗散 3.3 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 2.7 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 172 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 8 ns | ||
高度 1mm | ||
系列 SQ Rugged | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.35mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 2.2mm | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||