SQ3419EEV-T1-GE3 , P沟道 MOSFET 晶体管, 7.4 A, Vds=-40 V, 6针 TSOP-6封装
- RS 库存编号:
- 787-9452
- 制造商零件编号:
- SQ3419EEV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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小计（1 包，共 10 件）*
RMB46.31
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB4.631 | RMB46.31 |
| 50 - 240 | RMB4.488 | RMB44.88 |
| 250 - 990 | RMB3.971 | RMB39.71 |
| 1000 - 2990 | RMB2.717 | RMB27.17 |
| 3000 + | RMB2.39 | RMB23.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9452
- 制造商零件编号:
- SQ3419EEV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 7.4 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 78 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 5 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 850 pF @ -20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 26 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 9 ns | |
| 高度 | 1mm | |
| 系列 | SQ Rugged | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 7.4 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 78 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 TSOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 5 W | ||
典型输入电容值@Vds 850 pF @ -20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 4.5 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.7mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 26 ns | ||
典型接通延迟时间 9 ns | ||
高度 1mm | ||
系列 SQ Rugged | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm | ||
长度 3.1mm | ||
晶体管材料 Si | ||