SQ9945BEY-T1_GE3, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 5.4 A, Vds=60 V, 8针 SOIC-8封装
- RS 库存编号:
- 787-9474
- 制造商零件编号:
- SQ9945BEY-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB4.488 | RMB22.44 |
| 50 - 245 | RMB3.652 | RMB18.26 |
| 250 - 995 | RMB3.586 | RMB17.93 |
| 1000 - 2995 | RMB3.048 | RMB15.24 |
| 3000 + | RMB2.988 | RMB14.94 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9474
- 制造商零件编号:
- SQ9945BEY-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5.4 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 137 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 4 W | |
| 宽度 | 4mm | |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 375 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 17 ns | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5.4 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 137 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 4 W | ||
宽度 4mm | ||
典型接通延迟时间 6 ns | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 4 x 1.5mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 375 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 17 ns | ||
高度 1.5mm | ||