SQJ850EP-T1_GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 24 A, Vds=60 V, 5针 PowerPAK-SO8L-5封装
- RS 库存编号:
- 787-9500
- 制造商零件编号:
- SQJ850EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB44.65
(不含税)
RMB50.45
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB8.93 | RMB44.65 |
| 50 - 245 | RMB8.25 | RMB41.25 |
| 250 - 995 | RMB7.13 | RMB35.65 |
| 1000 - 2495 | RMB5.518 | RMB27.59 |
| 2500 + | RMB5.41 | RMB27.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9500
- 制造商零件编号:
- SQJ850EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 24 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 51 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PowerPAK SO-8L | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 45 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 980 pF @ 30 V | |
| 典型关断延迟时间 | 22 ns | |
| 宽度 | 5.03mm | |
| 典型接通延迟时间 | 21 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 尺寸 | 5 x 5.03 x 1.14mm | |
| 高度 | 1.14mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 系列 | SQ Rugged | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 24 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 51 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PowerPAK SO-8L | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 5 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 45 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 980 pF @ 30 V | ||
典型关断延迟时间 22 ns | ||
宽度 5.03mm | ||
典型接通延迟时间 21 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
尺寸 5 x 5.03 x 1.14mm | ||
高度 1.14mm | ||
长度 5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
系列 SQ Rugged | ||