SQS460EN-T1_GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 8 A, Vds=60 V, 8针 PowerPAK-1212-8封装
- RS 库存编号:
- 787-9522
- 制造商零件编号:
- SQS460EN-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB29.15
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB5.83 | RMB29.15 |
| 50 - 245 | RMB5.192 | RMB25.96 |
| 250 - 995 | RMB4.61 | RMB23.05 |
| 1000 - 2995 | RMB3.67 | RMB18.35 |
| 3000 + | RMB3.21 | RMB16.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9522
- 制造商零件编号:
- SQS460EN-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 82 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PowerPAK 1212 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 39 W | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 603 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 19 ns | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 5 ns | |
| 尺寸 | 3.4 x 3.4 x 1.12mm | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 系列 | SQ Rugged | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 82 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PowerPAK 1212 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 39 W | ||
宽度 3.4mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 603 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 19 ns | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 3.4mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 5 ns | ||
尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm | ||
高度 1.12mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
系列 SQ Rugged | ||