DMG4N65CT , N沟道 MOSFET 晶体管, 4 A, Vds=650 V, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 790-4570
- 制造商零件编号:
- DMG4N65CT
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB55.81
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RMB63.065
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB11.162 | RMB55.81 |
| 25 - 45 | RMB7.382 | RMB36.91 |
| 50 - 95 | RMB5.582 | RMB27.91 |
| 100 - 195 | RMB4.85 | RMB24.25 |
| 200 + | RMB4.754 | RMB23.77 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 790-4570
- 制造商零件编号:
- DMG4N65CT
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 2.19 W, 9.14 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 900 pF@ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 40 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13.5 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 宽度 | 4.85mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 10.7 x 4.85 x 16.5mm | |
| 长度 | 10.7mm | |
| 高度 | 16.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 15.1 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
最大漏源电阻值 3 Ω | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 2.19 W, 9.14 W | ||
典型输入电容值@Vds 900 pF@ 25 V | ||
典型关断延迟时间 40 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 13.5 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
宽度 4.85mm | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 10.7 x 4.85 x 16.5mm | ||
长度 10.7mm | ||
高度 16.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型接通延迟时间 15.1 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- CN