2N7002KT1G , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.32 A, Vds=60 V, 3针 SOT-23封装

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RS 库存编号:
790-5249
制造商零件编号:
2N7002KT1G
制造商:
ON Semiconductor
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品牌

ON Semiconductor

通道类型

N

最大连续漏极电流

320 mA

最大漏源电压

60 V

最大漏源电阻值

2.5 Ω

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

SOT-23

安装类型

表面贴装

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

直流/直流转换器

最大功率耗散

420 mW

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

0.7 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds

24.5 pF @ 20 V

典型关断延迟时间

55.8 ns

宽度

1.4mm

每片芯片元件数目

1

典型接通延迟时间

12.2 ns

高度

1.01mm

最高工作温度

+150 °C

长度

3.04mm

尺寸

3.04 x 1.4 x 1.01mm