NTGS4111PT1G , P沟道 MOSFET 晶体管, 4.7 A, Vds=-30 V, 6针 TSOP封装
- RS 库存编号:
- 790-5252
- 制造商零件编号:
- NTGS4111PT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB37.80
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB1.512 | RMB37.80 |
| 50 - 100 | RMB1.18 | RMB29.50 |
| 125 - 225 | RMB1.044 | RMB26.10 |
| 250 - 475 | RMB0.946 | RMB23.65 |
| 500 + | RMB0.874 | RMB21.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 790-5252
- 制造商零件编号:
- NTGS4111PT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 4.7 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 110 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 38 ns | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15.25 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 750 pF @ -15 V | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 4.7 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 110 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TSOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 38 ns | ||
宽度 1.7mm | ||
高度 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 15.25 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 750 pF @ -15 V | ||
长度 3.1mm | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 11 ns | ||