STL6N3LLH6 , N沟道 MOSFET 晶体管, 6 A, Vds=30 V, 6针 PowerFLAT封装
- RS 库存编号:
- 791-7693
- 制造商零件编号:
- STL6N3LLH6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB3.421 | RMB34.21 |
| 50 - 240 | RMB3.355 | RMB33.55 |
| 250 - 490 | RMB3.289 | RMB32.89 |
| 500 - 990 | RMB3.223 | RMB32.23 |
| 1000 + | RMB3.168 | RMB31.68 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 791-7693
- 制造商零件编号:
- STL6N3LLH6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 6 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 40 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PowerFLAT | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.4 W | |
| 长度 | 2.1mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 283 pF @ 24 V | |
| 典型关断延迟时间 | 9.4 ns | |
| 尺寸 | 2.1 x 2.1 x 0.75mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 4.8 ns | |
| 宽度 | 2.1mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.6 nC @ 4.5 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | DeepGate, STripFET | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 6 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 40 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PowerFLAT | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.4 W | ||
长度 2.1mm | ||
典型输入电容值@Vds 283 pF @ 24 V | ||
典型关断延迟时间 9.4 ns | ||
尺寸 2.1 x 2.1 x 0.75mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 4.8 ns | ||
宽度 2.1mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 3.6 nC @ 4.5 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 DeepGate, STripFET | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 0.75mm | ||