STL6N2VH5 , N沟道 MOSFET 晶体管, 6 A, Vds=20 V, 6针 PowerFLAT封装
- RS 库存编号:
- 791-7699
- 制造商零件编号:
- STL6N2VH5
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB53.24
(不含税)
RMB60.16
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.324 | RMB53.24 |
| 50 - 240 | RMB5.225 | RMB52.25 |
| 250 - 490 | RMB5.126 | RMB51.26 |
| 500 - 990 | RMB4.70 | RMB47.00 |
| 1000 + | RMB3.60 | RMB36.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 791-7699
- 制造商零件编号:
- STL6N2VH5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 6 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 40 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.7V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | PowerFLAT | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.4 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6 nC @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 550 pF @ 16 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 2.1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 系列 | STripFET V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2.1mm | |
| 尺寸 | 2.1 x 2.1 x 0.75mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 6 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 40 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.7V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 PowerFLAT | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.4 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 | ||
典型输入电容值@Vds 550 pF @ 16 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 2.1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.75mm | ||
系列 STripFET V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2.1mm | ||
尺寸 2.1 x 2.1 x 0.75mm | ||
晶体管材料 Si | ||