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- RS 库存编号:
- 791-7952
- 制造商零件编号:
- STW13N80K5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 最大漏源电阻值 | 450 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 190 W | |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | |
| 长度 | 15.75mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 110 pF@ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 45 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 12 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
最大漏源电阻值 450 mΩ | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
安装类型 通孔 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 190 W | ||
典型接通延迟时间 16 ns | ||
长度 15.75mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 110 pF@ 10 V | ||
典型关断延迟时间 45 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||