STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 19.5 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, STW25N80K5
- RS 库存编号:
- 791-7968
- 制造商零件编号:
- STW25N80K5
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB36.902 | RMB184.51 |
| 50 - 145 | RMB28.712 | RMB143.56 |
| 150 - 295 | RMB23.402 | RMB117.01 |
| 300 - 595 | RMB22.412 | RMB112.06 |
| 600 + | RMB21.332 | RMB106.66 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 791-7968
- 制造商零件编号:
- STW25N80K5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 19.5 | |
| 最大漏源电压 Vd | 800 | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | MDmesh K5, SuperMESH5 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 250 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 正向电压 Vf | 1.5 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 40 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 长度 | 15.75 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 20.15 | |
| 宽度 | 5.15 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 19.5 | ||
最大漏源电压 Vd 800 | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 MDmesh K5, SuperMESH5 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 250 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 | ||
最低工作温度 -55 | ||
正向电压 Vf 1.5 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 40 | ||
最高工作温度 150 | ||
长度 15.75 | ||
标准/认证 No | ||
高度 20.15 | ||
宽度 5.15 | ||
汽车标准 否 | ||