STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 45 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, STD45N10F7
- RS 库存编号:
- 791-9291
- 制造商零件编号:
- STD45N10F7
- 制造商:
- STMicroelectronics
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包装 | 每包 | 每单位* |
|---|---|---|
| 1 - 9 | RMB69.30 | RMB13.86 |
| 10 - 49 | RMB53.24 | RMB10.648 |
| 50 - 199 | RMB44.55 | RMB8.91 |
| 200 - 499 | RMB35.09 | RMB7.018 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 791-9291
- 制造商零件编号:
- STD45N10F7
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 45 | |
| 最大漏源电压 Vd | 100 | |
| 包装类型 | DPAK | |
| 系列 | STripFET H7 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.1 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 25 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大功耗 Pd | 60 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 高度 | 2.4 | |
| 长度 | 6.6 | |
| 宽度 | 6.2 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 45 | ||
最大漏源电压 Vd 100 | ||
包装类型 DPAK | ||
系列 STripFET H7 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.1 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大功耗 Pd 60 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最高工作温度 175 | ||
高度 2.4 | ||
长度 6.6 | ||
宽度 6.2 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||