SCH2825-TL-E , N沟道 MOSFET 晶体管, 1.6 A, Vds=30 V, 6针 SCH封装
- RS 库存编号:
- 791-9532
- 制造商零件编号:
- SCH2825-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB36.01
(不含税)
RMB40.69
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
包装 | 每包 | 每单位* |
|---|---|---|
| 1 - 1 | RMB36.01 | RMB1.44 |
| 2 - 4 | RMB27.91 | RMB1.116 |
| 5 - 9 | RMB25.21 | RMB1.008 |
| 10 - 19 | RMB22.51 | RMB0.90 |
| 20 + | RMB20.12 | RMB0.805 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 791-9532
- 制造商零件编号:
- SCH2825-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.6 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 180 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.6V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SCH | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 600 mW | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 10.6 ns | |
| 宽度 | 1.5mm | |
| 高度 | 0.56mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2 nC @ 10 V | |
| 尺寸 | 1.6 x 1.5 x 0.56mm | |
| 典型接通延迟时间 | 3.4 ns | |
| 长度 | 1.6mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型输入电容值@Vds | 88 pF @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.6 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 180 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.6V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SCH | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 消耗 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 600 mW | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 10.6 ns | ||
宽度 1.5mm | ||
高度 0.56mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 2 nC @ 10 V | ||
尺寸 1.6 x 1.5 x 0.56mm | ||
典型接通延迟时间 3.4 ns | ||
长度 1.6mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型输入电容值@Vds 88 pF @ 10 V | ||