2N7002BKV,115 Dual N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia
- RS 库存编号:
- 792-0756
- 制造商零件编号:
- 2N7002BKV
- 制造商:
- NXP
可享批量折扣
小计（1 卷，共 30 件）*
RMB28.89
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RMB32.64
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | RMB0.963 | RMB28.89 |
| 90 - 210 | RMB0.945 | RMB28.35 |
| 240 - 480 | RMB0.837 | RMB25.11 |
| 510 - 3960 | RMB0.738 | RMB22.14 |
| 3990 + | RMB0.609 | RMB18.27 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 792-0756
- 制造商零件编号:
- 2N7002BKV
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 340 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.6 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-666 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 410 mW | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 33 pF @ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 12 ns | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 尺寸 | 1.7 x 1.3 x 0.6mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 5 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 340 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 1.6 Ω | ||
最大栅阈值电压 2.1V | ||
最小栅阈值电压 1.1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-666 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 410 mW | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.5 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 33 pF @ 10 V | ||
典型关断延迟时间 12 ns | ||
宽度 1.3mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
高度 0.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 1.7mm | ||
尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 5 ns | ||
晶体管材料 Si | ||