onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 100 mA, SSFP, 贴片安装, 3引脚, 3LP01SS-TL-E
- RS 库存编号:
- 792-5206
- 制造商零件编号:
- 3LP01SS-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB36.00
(不含税)
RMB40.50
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB0.72 | RMB36.00 |
| 100 - 200 | RMB0.63 | RMB31.50 |
| 250 - 450 | RMB0.54 | RMB27.00 |
| 500 - 950 | RMB0.45 | RMB22.50 |
| 1000 + | RMB0.406 | RMB20.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 792-5206
- 制造商零件编号:
- 3LP01SS-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 100 mA | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SSFP | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 54 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.4V | |
| 最大功率耗散 | 150 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 0.8mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.43 nC @ 10 V | |
| 长度 | 1.4mm | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 100 mA | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 SSFP | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 54 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.4V | ||
最大功率耗散 150 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -10 V、+10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 0.8mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.43 nC @ 10 V | ||
长度 1.4mm | ||
高度 0.6mm | ||