STB10N60M2 , N沟道 MOSFET 晶体管, 7.5 A, Vds=650 V, 3针 D2PAK封装
- RS 库存编号:
- 792-5690
- 制造商零件编号:
- STB10N60M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB75.24
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RMB85.02
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB15.048 | RMB75.24 |
| 25 - 95 | RMB13.728 | RMB68.64 |
| 100 - 245 | RMB11.902 | RMB59.51 |
| 250 - 495 | RMB10.076 | RMB50.38 |
| 500 + | RMB9.042 | RMB45.21 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 792-5690
- 制造商零件编号:
- STB10N60M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 7.5 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 最大漏源电阻值 | 600 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 85 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13.5 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 400 pF @ 100 V | |
| 典型关断延迟时间 | 55 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 9.35mm | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 系列 | MDmesh M2 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 尺寸 | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 7.5 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
最大漏源电阻值 600 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 85 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 13.5 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 400 pF @ 100 V | ||
典型关断延迟时间 55 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 9.35mm | ||
典型接通延迟时间 20 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 4.6mm | ||
系列 MDmesh M2 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10.4mm | ||
尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||