STD7ANM60N , N沟道 MOSFET 晶体管, 5 A, Vds=600 V, 3针 D2PAK封装
- RS 库存编号:
- 792-5723
- 制造商零件编号:
- STD7ANM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB67.54
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RMB76.32
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包装 | 每包 | 每单位* |
|---|---|---|
| 1 - 4 | RMB67.54 | RMB13.508 |
| 5 - 19 | RMB61.60 | RMB12.32 |
| 20 - 49 | RMB53.46 | RMB10.692 |
| 50 - 99 | RMB45.10 | RMB9.02 |
| 100 + | RMB40.70 | RMB8.14 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 792-5723
- 制造商零件编号:
- STD7ANM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 900 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 45 W | |
| 宽度 | 9.35mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 尺寸 | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 363 pF @ 50 V | |
| 典型关断延迟时间 | 26 ns | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 系列 | MDmesh | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 900 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 D2PAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 45 W | ||
宽度 9.35mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 10.4mm | ||
尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 7 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 363 pF @ 50 V | ||
典型关断延迟时间 26 ns | ||
高度 4.6mm | ||
系列 MDmesh | ||
最高工作温度 +150 °C | ||