STH160N4LF6-2 N沟道 MOSFET 晶体管, 120 A, Vds=40 V H2PAK-2封装
- RS 库存编号:
- 792-5849
- 制造商零件编号:
- STH160N4LF6-2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB61.68
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB12.336 | RMB61.68 |
| 25 - 95 | RMB11.254 | RMB56.27 |
| 100 - 245 | RMB9.77 | RMB48.85 |
| 250 - 495 | RMB8.244 | RMB41.22 |
| 500 + | RMB7.422 | RMB37.11 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 792-5849
- 制造商零件编号:
- STH160N4LF6-2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 120 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3.2 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 封装类型 | H2PAK-2 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 150 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 180 nC | |
| 典型输入电容值@Vds | 8130 pF@ 20 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 205 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 系列 | DeepGate, STripFET | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 120 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 3.2 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
封装类型 H2PAK-2 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 150 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 180 nC | ||
典型输入电容值@Vds 8130 pF@ 20 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型接通延迟时间 20 ns | ||
典型关断延迟时间 205 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 15.8mm | ||
晶体管材料 Si | ||
系列 DeepGate, STripFET | ||