STP185N10F3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 120 A, Vds=100 V, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 792-6081
- 制造商零件编号:
- STP185N10F3
- 制造商:
- STMicroelectronics
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RMB49.55
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 24 | RMB24.775 | RMB49.55 |
| 26 - 98 | RMB22.465 | RMB44.93 |
| 100 - 248 | RMB19.51 | RMB39.02 |
| 250 - 498 | RMB16.50 | RMB33.00 |
| 500 + | RMB14.845 | RMB29.69 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 792-6081
- 制造商零件编号:
- STP185N10F3
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 120 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4.8 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 300 W | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 系列 | STripFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 尺寸 | 10.4 x 4.6 x 15.75mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 120 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 4.8 mΩ | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 300 W | ||
长度 10.4mm | ||
系列 STripFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V | ||
宽度 4.6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 15.75mm | ||