STB60NF06LT4 , N沟道 MOSFET 晶体管, 60 A, Vds=60 V, 3针 D2PAK封装
- RS 库存编号:
- 795-6944
- 制造商零件编号:
- STB60NF06LT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB58.50
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB11.70 | RMB58.50 |
| 50 - 495 | RMB11.12 | RMB55.60 |
| 500 - 745 | RMB10.58 | RMB52.90 |
| 750 - 995 | RMB10.06 | RMB50.30 |
| 1000 + | RMB3.50 | RMB17.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 795-6944
- 制造商零件编号:
- STB60NF06LT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 包装类型 | D2PAK | |
| 系列 | STripFET II | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 110 | |
| 最低工作温度 | -65 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 15 | |
| 正向电压 Vf | 1.3 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 35 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 长度 | 10.4 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.35 | |
| 高度 | 4.6 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
包装类型 D2PAK | ||
系列 STripFET II | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 110 | ||
最低工作温度 -65 | ||
最大栅源电压 Vgs 15 | ||
正向电压 Vf 1.3 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 35 | ||
最高工作温度 175 | ||
长度 10.4 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.35 | ||
高度 4.6 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||