STD65N55F3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 80 A, Vds=55 V, 3针 DPAK封装
- RS 库存编号:
- 795-9000
- 制造商零件编号:
- STD65N55F3
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB67.76
(不含税)
RMB76.57
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB13.552 | RMB67.76 |
| 10 - 95 | RMB12.254 | RMB61.27 |
| 100 - 495 | RMB10.70 | RMB53.50 |
| 500 - 995 | RMB9.38 | RMB46.90 |
| 1000 + | RMB7.73 | RMB38.65 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 795-9000
- 制造商零件编号:
- STD65N55F3
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80 | |
| 最大漏源电压 Vd | 55 | |
| 系列 | STripFET F3 | |
| 包装类型 | DPAK | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大功耗 Pd | 110 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 33.5 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 正向电压 Vf | 1.5 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.6 | |
| 高度 | 2.4 | |
| 宽度 | 6.2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 80 | ||
最大漏源电压 Vd 55 | ||
系列 STripFET F3 | ||
包装类型 DPAK | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大功耗 Pd 110 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 33.5 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
正向电压 Vf 1.5 | ||
最高工作温度 175 | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.6 | ||
高度 2.4 | ||
宽度 6.2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||