STL150N3LLH5 , N沟道 MOSFET 晶体管, 195 A, Vds=30 V, 8针 PowerFLAT封装
- RS 库存编号:
- 795-9221
- 制造商零件编号:
- STL150N3LLH5
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB24.00 | RMB48.00 |
| 10 - 98 | RMB22.00 | RMB44.00 |
| 100 - 248 | RMB17.50 | RMB35.00 |
| 250 - 998 | RMB16.00 | RMB32.00 |
| 1000 + | RMB12.00 | RMB24.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 795-9221
- 制造商零件编号:
- STL150N3LLH5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 195 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.75 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -22 V、+22 V | |
| 封装类型 | PowerFLAT | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 114 W | |
| 宽度 | 6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 40 nC @ 15 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 5800 pF @ 25 V | |
| 系列 | STripFET V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 65.8 ns | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 6 x 0.95mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 17.2 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 195 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 1.75 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -22 V、+22 V | ||
封装类型 PowerFLAT | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 114 W | ||
宽度 6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 0.95mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 15 V | ||
典型输入电容值@Vds 5800 pF @ 25 V | ||
系列 STripFET V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型关断延迟时间 65.8 ns | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 6 x 0.95mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 17.2 ns | ||