ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET WPH4003-1E, 3 A, Vds=1700 V, 3引脚 TO-3PF封装
- RS 库存编号:
- 796-1393
- 制造商零件编号:
- WPH4003-1E
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 1 | RMB43.36 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 796-1393
- 制造商零件编号:
- WPH4003-1E
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3 A | |
| 最大漏源电压 | 1700 V | |
| 最大漏源电阻值 | 10.5 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 封装类型 | TO-3PF | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 55 W | |
| 高度 | 24.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5.5mm | |
| 尺寸 | 15.5 x 5.5 x 24.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 15.5mm | |
| 典型接通延迟时间 | 19 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 48 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 850 pF @ 30 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 200 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3 A | ||
最大漏源电压 1700 V | ||
最大漏源电阻值 10.5 Ω | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 ±30 V | ||
封装类型 TO-3PF | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 55 W | ||
高度 24.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5.5mm | ||
尺寸 15.5 x 5.5 x 24.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 15.5mm | ||
典型接通延迟时间 19 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 48 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 850 pF @ 30 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型关断延迟时间 200 ns | ||