TK35E08N1 , N沟道 MOSFET 晶体管, 55 A, Vds=80 V, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 796-5080
- 制造商零件编号:
- TK35E08N1
- 制造商:
- Toshiba
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB38.90
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB7.78 | RMB38.90 |
| 25 - 245 | RMB6.66 | RMB33.30 |
| 250 - 945 | RMB5.82 | RMB29.10 |
| 950 - 1895 | RMB3.86 | RMB19.30 |
| 1900 + | RMB3.24 | RMB16.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 796-5080
- 制造商零件编号:
- TK35E08N1
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55 | |
| 最大漏源电压 Vd | 80 | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | TK | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 72 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 25 | |
| 正向电压 Vf | -1.2 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 长度 | 10.16 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 15.1 | |
| 宽度 | 4.45 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 55 | ||
最大漏源电压 Vd 80 | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 TK | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 72 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25 | ||
正向电压 Vf -1.2 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最高工作温度 150 | ||
长度 10.16 | ||
标准/认证 No | ||
高度 15.1 | ||
宽度 4.45 | ||
汽车标准 否 | ||