TK56E12N1 , N沟道 MOSFET 晶体管, 112 A, Vds=120 V, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 796-5096
- 制造商零件编号:
- TK56E12N1
- 制造商:
- Toshiba
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB74.90
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RMB84.65
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB14.98 | RMB74.90 |
| 25 - 245 | RMB12.86 | RMB64.30 |
| 250 - 395 | RMB11.26 | RMB56.30 |
| 400 - 795 | RMB7.46 | RMB37.30 |
| 800 + | RMB6.04 | RMB30.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 796-5096
- 制造商零件编号:
- TK56E12N1
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 112 A | |
| 最大漏源电压 | 120 V | |
| 最大漏源电阻值 | 7 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 168 W | |
| 宽度 | 4.45mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 15.1mm | |
| 系列 | TK | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.16mm | |
| 尺寸 | 10.16 x 4.45 x 15.1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 45 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 69 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 4200 pF @ 60 V | |
| 典型关断延迟时间 | 73 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 112 A | ||
最大漏源电压 120 V | ||
最大漏源电阻值 7 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 168 W | ||
宽度 4.45mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 15.1mm | ||
系列 TK | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10.16mm | ||
尺寸 10.16 x 4.45 x 15.1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 45 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 69 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 4200 pF @ 60 V | ||
典型关断延迟时间 73 ns | ||